【深度】HIT电池产业化现状分析
我要评论2、池产在p－n结成结的业化同时完成了单晶硅的表面钝化，单品硅片弯曲变形小，现状因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，分析福建均石、深度目前正在进行90μm硅片批量制备。池产使得电池即使在光照升温情况下仍有好的业化输出。具有较成熟HIT技术的现状还有Keneka、在一天的分析中午时分，Solarcity、
高温环境下发电量高，市售200W组件的电池效率达到19．5％。量产效率达23％。日本CIC、且产线与传统电池不兼容，是我国大力发展和推广HIT技术的大好时机。
（4）生产连续性对于TCO镀膜设备的影响：TCO镀膜必须保证连续投料，未来将是P型PERC电池与N型HIT电池争霸光伏产业的时代。Sunpreme、由于能带弯曲，技术壁垒消除，100μm厚度硅片已经实现了23％以上的转换效率，三洋HIT电池的转换效率于2015年已达到25．6％。具体特点如下：
（1）低温工艺
HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（＜250℃）制造的优点，
（5）高粘度浆料的连续印刷稳定性：在HIT电池制备过程中，HIT电池优势和特点
HIT电池具有发电量高、
（6）对称结构适于薄片化
HIT电池完美的对称结构和低温度工艺使其非常适于薄片化，在持续光照后同样没有出现衰减现象。由于能带弯曲阻挡了空穴向背面的移动，HIT电池市场前景展望
降本增效始终是光伏行业永恒的主题，晋能、
1、双玻HIT组件的发电量高出20％以上，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出，
此外，
图表：HIT太阳能电池结构示意图
资料来源：OFweek行业研究中心
在电池正表面，
（5）无光致衰减
困扰晶硅太阳能电池最重要的问题之一就是光致衰减，
4、
（2）双面电池
HIT是非常好的双面电池，
希望了解更多HIT电池市场的相关信息，目前通常用PECVD法制备。高效电池因此备受瞩目。甚至在光照下效率有一定程度的增加，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，
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总共分为四个步骤：制绒清洗、上海微系统所经过大量实验发现，需要注意各工序Q－time的控制。从而避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺来获得p－n结。禁带宽度和厚度等可以较精确控制，包括降低原材料的消耗量、电池薄片化不仅可以降低硅片成本，影响HIT产业化的重要因素之一即成本问题，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（约80μm）；同时低温过程消除了硅衬底在高温处理中的性能退化，请订阅OFweek太阳能光伏研究团队最新推出的《HIT高效电池技术及前景预测报告》。MW）资料来源：OFweek行业研究中心
目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面：
（1）高质量硅片：相较常规N型产品，从而实现两者的分离。界面漏电流，否则良率和设备状况都会受到影响，所以又被称为HJT或SHJ（Silicon Heterojunction solar cell）。HIT电池工艺流程
HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，这种技术不仅节约了能源，在大规模量产方面，保持生产连续性是一大挑战。从而不会出现类似非晶硅太阳能电池转换效率因光照而衰退的现象；HIT电池的温度稳定性好，浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多，
（6）低成本
HIT电池的厚度薄，针对这几个高成本部分，据杨立友博士介绍，后来在三洋公司的不断改进下，度电成本低的优势，提高了电池效率。空穴则由于本征层很薄而可以隧穿后通过高掺杂的p＋型非晶硅，随着行业不断的技术进步和政策推动，首屈一指的当然是日本三洋，其对工艺清洁度要求极高，
（4）高稳定性
HIT电池的光照稳定性好，HIT电池产业化现状
OFweek产业研究院数据显示，TCO制备、上海微系统所在做HIT光致衰减实验时发现，并且允许采用廉价衬底；高效率使得在相同输出功率的条件下可以减少电池的面积，制绒添加剂。
3、阻挡了电子向正面的移动，通过在电池正反两面沉积选择性传输层，HIT电池结构和原理
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer的缩写，
（6）焊带拉力的稳定性：拉力稳定的窗口窄，
图表：国内外HIT太阳能电池产业化情况（单位：％，HIT电池BOM成本前四项为硅片、硅片厚度在100－180μm范围内，
5、构成电子传输层。设备资产投资较大。汉能等企业。瑞士EPFL、新奥、但是工艺难度大，其特征是以光照射侧的p－i型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）和背面侧的i－n型a－Si：H膜（膜厚5－l0nm）夹住晶体硅片，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到90％以上，双玻双面发电的组件结构进一步增加了电池串联的难度。关键设备的国产化、该类型太阳能电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发，
（2）制绒后硅片表面洁净度的控制：HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高，平均效率几乎不变，构成空穴传输层。HIT电池的发电量比一般晶体硅太阳电池高出8－10％，背面发电的优势明显。且工艺温度低，可进行专项降本，可以节省硅材料；低温工艺可以减少能量的消耗，电极制备。意为本征薄膜异质结，尤其在产线刚投产时，最高可达96％，而且低温环境使得a＿Si：H基薄膜掺杂、正面和背面基本无颜色差异，现有产能1GW，并有效降低排放，
（3）各工序Q－time控制：HIT电池在完成非晶硅镀膜之前，HIT电池对硅片质量有更高的要求，与单晶硅电池－0．5％／℃的温度系数相比，当时转换效率可达到14．5％（4mm2的电池），非晶硅薄膜沉积、需要谨慎选择硅片供应商。对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛，可避免高温工艺对硅片的损伤，其应用也可以更加多样化。而电子可以隧穿后通过高掺杂的n＋型非晶硅，光照后HIT电池转换效率增加了2．7％，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，
图表2：HIT太阳能电池工艺流程
资料来源：OFweek行业研究中心
制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，同样，从而有效降低了电池的成本。
（3）高效率
HIT电池独有的带本征薄层的异质结结构，
下图是HIT太阳能电池的基本构造，需要数倍于常规产线的关注。具有更高的用户附加值。HIT电池的温度系数可达到－0．25％／℃，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，理论研究表明非品硅薄膜／晶态硅异质结中的非晶硅薄膜没有发现Staebler－Wronski效应，靶材、目前HIT电池的实验室效率已达到23％，关键原材料的国产化、而HIT电池天然无衰减，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来作衬底。
HIT电池的制备工艺步骤简单，性价比优势开始显现，2015年三洋的HIT专利保护结束，需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。大众的目光逐渐转移至度电成本上，在背表面，CSEM在APL上的联合发表也证实了HIT电池的光致增强特性。导电银浆、
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